Samsung akıllı telefonlarda çıtayı yükseltmeye hazırlanıyor.
Güney Koreli üretici, 2014 yılında pazara sunacağı modeller için yepyeni bir ürün hazırladı.
Mobil cihazların hızlı evrimi, bu alana uygun teknolojilerin gelişimine zemin hazırladı. Kompakt boyutlar ve düşük enerji tüketim değerleri, her yeni teknolojinin öncelikli nitelikleri halini aldı. Bu odaktaki gelişmelerde ortaya çıkan “Stacked” veya “3D” olarak adlandırılan 3D yongaların popülaritesi git gide artıyor.
Intel de Kullandı
Intel’in uzunca bir süredir üzerinde çalıştığı ve Haswell işlemcilerinde kullandığı bu yapı, yongaların katmanlı bir yapıda veya üst üste kümelenmiş biçimlerde oluşturulması anlamını taşıyor. Bu sayede düşük enerji tüketimi ve küçük boyutlar, tasarım aşamasında elde edilebiliyor.
V-NAND Teknolojisi
Bu odakta çalışmalar yapan isimlerden bir diğer ise Samsung. Mobil dünyanın dev markası, V-NAND olarak adlandırdığı yeni yongalarını tanıttı. Bu yeni yongaların her iki tarafı da bellek olarak kullanılıyor ve bu sayede fiziksel olarak küçük boyutlar ile daha büyük hafıza alanları oluşturulabiliyor.
Aynı zamanda çok daha hızlı ve dayanıklı olan bu yeni teknolojiye sahip yongaların her biri, 24 ayrı NAND modülden oluşuyor. Asgari olarak 128GB depolama alanı sunan bellekler, 1 terabyte’a kadar alan sağlayabiliyor. Böylesine büyük kapasiteye ve hıza rağmen sadece microSD bellek kartı yuvası kadar bir alanın işgal edilmesi de işin en ilgi çekici yönü.
Galaxy S5 ve Galaxy Note 4’te Yer Alabilir
SSD disklerde bu yıldan itibaren kullanılmaya başlanacak olan V-NAND yongalar, mobil cihazlarda ise 2014 yılının başından itibaren kullanıma hazır olacak. 300’den fazla patent ile korunduğuna dikkat çekilen V-NAND teknolojisinin gelecek yıl üst düzey Samsung modellerinde (Galaxy S5, Galaxy Note 4 gibi) yer alması kuvvetli bir olasılık gibi görünüyor.
Mobil cihazların hızlı evrimi, bu alana uygun teknolojilerin gelişimine zemin hazırladı. Kompakt boyutlar ve düşük enerji tüketim değerleri, her yeni teknolojinin öncelikli nitelikleri halini aldı. Bu odaktaki gelişmelerde ortaya çıkan “Stacked” veya “3D” olarak adlandırılan 3D yongaların popülaritesi git gide artıyor.
Intel de Kullandı
Intel’in uzunca bir süredir üzerinde çalıştığı ve Haswell işlemcilerinde kullandığı bu yapı, yongaların katmanlı bir yapıda veya üst üste kümelenmiş biçimlerde oluşturulması anlamını taşıyor. Bu sayede düşük enerji tüketimi ve küçük boyutlar, tasarım aşamasında elde edilebiliyor.
V-NAND Teknolojisi
Bu odakta çalışmalar yapan isimlerden bir diğer ise Samsung. Mobil dünyanın dev markası, V-NAND olarak adlandırdığı yeni yongalarını tanıttı. Bu yeni yongaların her iki tarafı da bellek olarak kullanılıyor ve bu sayede fiziksel olarak küçük boyutlar ile daha büyük hafıza alanları oluşturulabiliyor.
Aynı zamanda çok daha hızlı ve dayanıklı olan bu yeni teknolojiye sahip yongaların her biri, 24 ayrı NAND modülden oluşuyor. Asgari olarak 128GB depolama alanı sunan bellekler, 1 terabyte’a kadar alan sağlayabiliyor. Böylesine büyük kapasiteye ve hıza rağmen sadece microSD bellek kartı yuvası kadar bir alanın işgal edilmesi de işin en ilgi çekici yönü.
Galaxy S5 ve Galaxy Note 4’te Yer Alabilir
SSD disklerde bu yıldan itibaren kullanılmaya başlanacak olan V-NAND yongalar, mobil cihazlarda ise 2014 yılının başından itibaren kullanıma hazır olacak. 300’den fazla patent ile korunduğuna dikkat çekilen V-NAND teknolojisinin gelecek yıl üst düzey Samsung modellerinde (Galaxy S5, Galaxy Note 4 gibi) yer alması kuvvetli bir olasılık gibi görünüyor.
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder